规格书 |
IPB(I,P)25N06S3L-22 |
文档 |
Multiple Devices 22/Jul/2010 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 55V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 25A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 21.6 mOhm @ 17A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 20µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 47nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2260pF @ 25V |
功率 - 最大 | 50W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
供应商器件封装 | PG-TO262-3 |
包装材料 | Tube |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 25A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 20µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 55V |
标准包装 | 500 |
供应商设备封装 | PG-TO262-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 21.6 mOhm @ 17A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 50W |
封装/外壳 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 2260pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 47nC @ 10V |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 16 V |
连续漏极电流 | 25 A |
RDS(ON) | 21.6 mOhms |
功率耗散 | 50 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 30 ns |
零件号别名 | IPI25N06S3L22XK |
上升时间 | 26 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 55 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 43 ns |
工厂包装数量 | 500 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
宽度 | 4.5 mm |
Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | CoolMOS |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 25 A |
长度 | 10.2 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 21.6 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
系列 | CoolMOS CE |
身高 | 9.45 mm |
典型导通延迟时间 | 9 ns |
Pd - Power Dissipation | 50 W |
技术 | Si |
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